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    多温区管式炉注意事项：1.多温区管式炉操作注意事项炉子初次使用或长时间不用后，要在120度左右烘炉1小时，在300度左右烘烤2小时后使用，以免造成炉膛开裂。炉温不得超过额定温度，以免损坏加热元件及炉衬。2.禁止向炉膛内直接灌注各种液体及溶解金属，保护颅内清洁。3.炉体若采用硅钼棒做加热元件，依据硅钼棒的物理特性，常温下脆性很大，因此在加热元件安装好后不能随意拆装和搬动炉体，4.冷炉使用时，由于炉膛是冷的，广东立式炉厂家**，须大量吸热，所以低温段升温速率不宜过快，广东立式炉厂家**，广东立式炉厂家**，各种温度段的升温速率差别不宜太大，设置升温速率时应充分考虑所烧结材料的物理化学性质，以免出现喷料现象，污染炉膛，5.定期检查温度控制系统的电器连接部分的接触是良好，应特别注意加热元件的各连接是否紧固。6.硅钼棒作为加热元件时不宜在400-700度温度段长时间运行，否则硅钼棒将发生低温氧化。7.硅钼棒做加热元件时，长时间运行，阻值会逐渐增大，这种现象叫“老化”。               马弗炉使用时炉膛温度不能超过较高炉温，也不能在额定温度下长时间工作。广东立式炉厂家**

管式炉以进口电阻丝为发热元件，额定温度500℃，采用K型热电偶测温和温控仪分上下两部分自动控温，左侧电路控制下半部分加热元件，右侧电路控制上半部分加热元件，既可分开使用也可同时使用。管式炉具有较高的控温精度（±1℃）。此外该炉具有真空装置，可在多种气氛下工作，较大提高了其使用范围。该炉具有使用温度高、高精度控温、操作简单、维修方便等优点，可普遍用于冶金、机械、轻工、商检、高等院校及科研部门。管式炉一般由三个主要部分组成：辐射室、对流室及烟囱，炉底的油气联合燃烧器(火嘴)喷出高达几米的火焰，温度高达1000~1500℃、主要以辐射传热的方式，将大部分热量传给辐射室(又叫炉膛)炉管(也叫辐射管)内流动的油品。管式炉烟气沿着辐射室上升到对流室，温度降到700~900℃。以对流传热的方式继续将部分热量传给对流室炉管内流动着的油品，较后温度降至200~450℃的烟气从烟囱排**气。油品则先进入对流管再进入辐射管，不断吸收高温烟气传给的热量，逐步升高到所需要的温度。东莞马氟炉生产厂家管式炉充入气体注意：逆时针旋转旋钮打开氢气瓶主阀，顺时针旋动旋钮，缓慢打开出口减压阀。

提高管式炉热效率的目的是为了节能，而炼油装置管式炉的节能措施比一般工业炉要灵活得多，一个装置内常常不止一台管式炉，另外还有各种其他设备，它们之间在热能利用方面往往是可以互补的，这就有可能把管式炉同整个装置结合在一起，较全考虑和优化，以便采取综合节能措施。在测量时有一台微机助手的话，在数据处理方面，利用微软电子表格软件的计算和自动制图功能，那么测试管式炉的温场分布工作将会变的简单方便。对于新安装和使用一段时间的电阻炉以及修理后的管式炉，必须对其轴向温场分布进行测试，以便于其进行调整，确保热电偶的检定质量。

立式真空管式炉的可编程控温表操作：(1)多种工作方式。智能温度控制器具有准备(READY)、运行(RUN)、保持(HOLD)、测试(TEST)、结束(END)、PV启动、自动(AUTO)、手动(MANUAL)等多种工作方式，以满足温度过程控制的需要。(2)多种报警设置。智能温度控制韶支持多种报警形式，如温度上、下限报警，温度偏差报警，温度值报警等，报警是否生效，在什么条件下报警都可以通过参数设置完成。(3)强大的程序功能。支持工艺曲线数量，每条工艺曲线的段数，参数的设置范围，曲线的链接和循环，各种事件的数量等内容反映了控制器的程序处理能力。例如DCP31智能温度控制器，工艺曲线数量19条，每条工艺曲线30段，时间设置范围从0到99小时59分，曲线的链接0~19，程序循环次数0~9999，真空箱式炉还有8种操作和时间事件在编程时可供选择。管式炉的炉衬材料：现在的很多设备制造企业也喜欢使用耐火纤维这样的一种材料来作为管式炉的炉衬。

管式炉怎样实现程序控温？1、炉膛内材料的选择。选择耐火材料如氧化铝、耐火纤维和轻质砖做成的炉体是关键的一环，管式炉以硅钼棒、硅碳棒等电加热元件提供热源的温度控制设备采用可控硅温度控制器，炉况温度，炉温控制效果在实时性和控制精度方面有显着提高。2、计算机可操控多台管式炉。管式炉采用计算机控制后，一台计算机可以同时控制多台管式炉，不但实现了程序自动控制，管式炉而且可以多点温度显示记录存储和报警等功能，系统使触发电路等大部分部件互换，可以使传统的设备得到升级。这样设备管理工作实现自动化，管式炉对设备比较简单。马弗炉温度超过600度后不要打开炉门。等炉膛内温度自然冷却后再打开炉门。--深圳市迪斯普设备有限公司。东莞马氟炉生产厂家

管式炉炉型如何选择：被加热介质有化学反应的时候，炉内温度应该和管内化学反应过程相适应。广东立式炉厂家**

    PECVD工作原理是什么？PECVD技术是在低气压下，利用低bai温等离子体在工艺腔体的阴极du上（即zhi样品放置的托盘）产生辉光放电，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的工艺气体，这些气体经一系列化学反应和等离子体反应，较终在样品表面形成固态薄膜。其工艺原理示意图如图1所示。在反应过程中，反应气体从进气口进入炉腔，逐渐扩散至样品表面，在射频源激发的电场作用下，反应气体分解成电子、离子和活性基团等。这些分解物发生化学反应，生成形成膜的初始成分和副反应物，这些生成物以化学键的形式吸附到样品表面，生成固态膜的晶核，晶核逐渐生长成岛状物，岛状物继续生长成连续的薄膜。在薄膜生长过程中，各种副产物从膜的表面逐渐脱离，在真空泵的作用下从出口排出。 广东立式炉厂家**