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光催化氧化处理的设备工作条件：设备工作是气体环境温度在摄氏60℃以下、湿度在90%以下、无固体粉尘，处理的成分应当只是气体，满足以上三个条件时可以达到较佳的净化效果，如湿度及温度过高需作预处理，在废气处理过程中不可有固体粉尘及大量水蒸汽进入设备，这样会直接影响除臭效果，甚至没有效果，光催化氧化停留时间控制在合理范围之内。能够去除各种有机废气如烃类、醛类，漳州光催化氧化工艺、酚类、醇类，漳州光催化氧化工艺、硫醇类、苯类、氨类、氮氧化物、硫化物以及其它VOC类有机物及无机物。对原子有机物如卤代烃，漳州光催化氧化工艺、染料、含氮有机物、有机磷杀虫剂也有很好的去除效果，只要达到一定的反应时间和反应环境配比即可达到完全氧化，可以说氢氧自由基的氧化对象几乎没有选择性，能跟任何现有物质反应。除臭净化效果可达96%以上，光催化剂是光催化过程的关键部分，其活性的高低严重影响光催化效果。漳州光催化氧化工艺

光催化氧化设备能高效去除挥发性有机物、硫化氢、氨气等无机物类污染物，以及各种恶臭味，脱臭效率可达99%以上，脱臭效果**优于国家颁布的恶臭污染物排放标准。光催化氧化设备可适应于绝大部分高浓度，大气量，不同恶臭气体物质的脱臭净化处理，通过合理的模块配置可普遍应用于：炼油厂、橡胶厂、化工厂、制药厂、污水处理厂、垃圾中转站、污水泵房、中央空调等恶臭气体的脱臭灭菌净化处理。可每天24小时连续工作，运行稳定可靠。漳州光催化氧化工艺光催化氧化技术是在设备中添加纳米级活性材料，在紫外光线的作用下，产生更为强烈的催化降解功能。

光催化设备是光催化技能使用的重要设备，其具有高活性特色，光催化设备常用资源为纳米TiO2，其降解才能强。光催化氧化设备纳米TiO2尺寸小，外表键态与颗粒内部不同，增强颗粒外表活性，UV光催化氧化设备通过量子尺度效应，颗粒的氧化才能进步，发生的光催化功率也将进步。纳米TiO2光催化设备的生产办法包含气相法、液相法、溶胶-凝胶法、水热法。气相法是指通过O2与TiCl4反响取得纳米TiO2；液相法包含溶胶-凝胶法和硫酸法，其间溶胶-凝胶法是指将钛的醇盐水解后为溶胶方式，苏州光催化氧化设备使用缩聚等办法构成凝胶，再通过干燥等办法煅烧出纳米TiO2，该办法可以生产出具有负载涂层的光催化设备，UV光催化氧化设备具有良好的使用价值，得到普遍使用；硫酸法是指破坏含钛矿石，并通过硫酸溶解、煅烧出纳米TiO2。

光催化剂的种类：在世界上，可以用作光催化剂的材料有很多，包括二氧化钛(TiO2),氧化锌(ZnO),氧化锡(SnO2),二氧化锆(ZrO2)，硫化镉(CdS)等多种氧化物和硫化物的半导体，其中二氧化钛(Titanium Dioxide)具有氧化能力较强，化学性质稳定并且无毒的优点，所以二氧化钛成为推举的纳米光触媒材料。并且二氧化钛具有抗光腐蚀性能，且二氧化钛的光匹配性能好，从而较为适合光解水。在早期，也曾经出现较多使用硫化镉(CdS)和氧化锌(ZnO)作为光催化剂，但是由于这硫化镉和氧化锌的化学性质并不稳定，在光催化的同时有可能发生光溶解，并且溶出的有害金属离子具有一定的生物毒性，而且ZnO在部分溶解后生成的Zn(OH)2有可能覆盖在ZnO颗粒表面，使氧化锌部分失活。故发达国家目前已经很少将它们用作为民用光催化材料，只有部分工业光催化领域还在使用。根据光催化氧化剂使用的不同，可以分为均相光催化氧化和非均相光催化氧化。

当能量高于半导体禁带宽度的光子照射半导体时，半导体的价带电子发生带间跃迁，从价带跃迁到导带，从而产生带正电荷的光致空穴和带负电荷的光生电子。光致空穴的强氧化能力和光生电子的还原能力导致半导体光催化剂引发一系列光催化反应的发生。

半导体光催化氧化的羟基自由基反应机理，得到大多数学者的认同。即当TiO2等半导体粒子与水接触时，半导体表面产生高密度的羟基。由于羟基的氧化电位在半导体的价带位置以上，而且又是表面高密度的物种，因此光照射半导体表面产生的空穴首先被表面羟基捕获，产生强氧化性的羟基自由基

在催化剂作用下进行的光氧化反应叫光催化氧化。漳州光催化氧化工艺

光化学反应需要分子吸收特定波长的电磁辐射。漳州光催化氧化工艺

光催化过程中能产生高活性氧化物（如光致空穴，羟基自由基等），但目前单一光催化技术的推广应用还存在一些技术障碍。在放电等离子体区域填充光催化剂，以放电过程产生的大量活性物质驱动光催化剂，就可以实现光降解和等离子体降解的协同。纳米二氧化钛在低温等离子体和晕光的共同作用下可产生大量的羟基自由基。在羟基自由基、等离子体、晕光的协同作用下可以对通过间隙的空气进行杀菌消毒、降解有害有机挥发物（VOCs）和除臭除味等处理。漳州光催化氧化工艺

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